一、影響（xiǎng）蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性能的因素

        蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸（zhēng）鍍塗層的組成、蒸鍍（dù）層的厚（hòu）度等，都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包裝薄膜的性能產生巨大的影響，主要（yào）可以列舉如下。www.shzlyh.com南京91视频网站精工阻隔膜生產線


1.基材的選擇性
        如（rú）前所述，蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠於SiOx塗層，因（yīn）此在蒸煮處理過程中，不能破壞該塗層。蒸（zhēng）鍍型氧化矽阻（zǔ）隔性包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材（cái）應當注意如下（xià）幾個問題。

（1)塑（sù）料（liào）薄膜的（de）類型（xíng）

        蒸鍍的氧化矽膜與塑料薄膜之間的黏合牢度與塑料基（jī）膜種類之間有較大的關（guān）係，PET、PVC等極性較大的薄膜與（yǔ）氧（yǎng）化矽間（jiān）的黏合（hé）性較佳，而非（fēi）極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力（lì）則比較差。

（2)塑料（liào）薄膜表麵狀態

        蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包（bāo）裝（zhuāng）薄膜的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上決定（dìng）於氧化矽鍍層的均勻性。裂縫、針孔等缺欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜（mó）的（de）阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本（běn）身的化學成分與結構之外，所用基膜（mó）的表麵平滑性，也是一個（gè）重要因素，粗糙（cāo）度越大，越容易造成蒸鍍（dù）缺（quē）陷，但適量的粗糙度會使蒸鍍層和（hé）基膜的表麵之間形成物理錨接，改善層（céng）間黏合力。

（3)塑料薄（báo）膜的（de）表麵預處理狀況

      為了得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜進行（háng）適度的表麵（miàn）電暈處理（lǐ）是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種（zhǒng）複雜（zá）的（de）化學反應，將氧、氮等原子及（jí）原子團引入到塑料薄膜的（de）表麵上），增（zēng）大基膜與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備一定的（de）情況下，如果預處理時間（jiān）不足，表麵改性不充分，將導致基膜與塗層之間的結合牢度下降；預處理時間過長，可能引起基膜較深層次（cì）的界（jiè）麵弱化，產生基膜（mó）自（zì）身的弱界麵層，也會引起基（jī）材表麵和蒸鍍層間的結合力（lì）下降。
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2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝（zhuāng）薄膜性能的影響（xiǎng）
       

  不論采用物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件都（dōu）可能對蒸鍍型氧化矽（guī）阻隔（gé）性包裝薄膜的性能產生顯著（zhe）的影響，因（yīn）此應當盡可能采（cǎi）用有利於提高（gāo）蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條（tiáo）件（jiàn）。

（1)采用（yòng）物理蒸鍍時，
      

  真空度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率（lǜ）、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導（dǎo）入的（de）速度（dù）、蒸鍍塗層的厚度（決定（dìng）於蒸鍍時間與（yǔ）蒸發（fā）功（gōng）率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸（zhēng）鍍時真（zhēn）空度越高，越有利於（yú）SiO2的蒸發（fā），製得的蒸鍍膜（mó）的質量越高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利於蒸（zhēng）發的SiO,在塑料基膜上沉積（jī）、形成致（zhì）密的塗層並有利於提高蒸鍍層（céng）與塑料基膜間的黏結（jié）度，因此（cǐ）適當提高塑料基膜的溫度，有利於提（tí）高蒸鍍薄膜的質量。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使用塊（kuài）狀的（de）SiO2,因為粉（fěn）狀的SiO2在受電子槍（qiāng）轟擊（jī）時，易產生粉末濺射現象，影響蒸鍍膜的質（zhì）量，而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸發。

④氧氣的導入（rù）速度影響（xiǎng）蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧（yǎng）的量越（yuè）大，即x的值越大，蒸（zhēng）鍍層向透明性提高的方向移動，但阻隔性有（yǒu）降低的（de）趨勢。當x等於2時，得到阻隔性（xìng）能差的（de）、無色透明的蒸鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間（jiān）以獲得兼具高（gāo）阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。www.shzlyh.com南京住（zhù）野精工阻隔膜生（shēng）產線

        蒸鍍層的厚度增加，蒸鍍膜的阻隔性增加，但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層（céng）的厚度再進一步增大，蒸鍍膜的阻隔性基本保持（chí）不變，因此不能指（zhǐ）望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時間（jiān））、增加蒸鍍層的厚度的（de）辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子化能量以及蒸鍍材料離子化所需要的能量相匹配，高頻（pín）電磁波一般選用13.56MHz,微波一般（bān）選用2.45MHz,真空度在（zài）10-2Pa左右即可獲得優良的蒸鍍（dù）效（xiào）果，而物（wù）理蒸鍍時（shí）則需要更（gèng）高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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