一、影響蒸鍍型氧化矽（guī）阻隔性包裝（zhuāng）薄膜性能的因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條（tiáo）件以及蒸鍍塗（tú）層的組成、蒸（zhēng）鍍層的厚度等，都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）的性能產生巨大的（de）影響（xiǎng），主（zhǔ）要可以列舉如下。www.shzlyh.com南（nán）京91视频网站（yě）精工阻隔膜生產線
1.基材（cái）的選擇性
如前所（suǒ）述，蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠於SiOx塗層（céng），因此在（zài）蒸煮處理過程中，不能破壞該（gāi）塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包裝薄（báo）膜通常與其他薄膜複合，製（zhì）造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型（xíng）

蒸鍍的氧化（huà）矽膜與塑料薄膜之間的黏合牢度與（yǔ）塑料基膜種類之間有較大的關係（xì），PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽間的黏（nián）合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）的（de）阻隔性（xìng），除了受（shòu）蒸鍍層（céng）的厚度影響之（zhī）外，更大程度上決定（dìng）於氧（yǎng）化矽鍍層的均勻性。裂（liè）縫、針孔等缺欠，會（huì）導致蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了蒸鍍層本身（shēn）的化學成分與結構之外，所用基膜（mó）的表麵平滑性，也是一個重要因素，粗糙度越大，越（yuè）容易造成蒸鍍缺陷，但（dàn）適量的（de）粗糙度會使蒸鍍層和基膜的表麵之間形成物理錨接，改善層間黏合（hé）力。

（3)塑（sù）料薄膜的表麵預處理狀況

為了得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈（yūn）處理，可在其表麵形（xíng）成氧化層（通過（guò）交（jiāo）聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原子及原子團引入到塑料薄（báo）膜的表麵上），增大基膜與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備一（yī）定（dìng）的（de）情況下（xià），如果預處（chù）理時間不足，表麵改性不充分，將導致基（jī）膜與塗層之間的結（jié）合牢度下降（jiàng）；預處理時間過長，可能引起基膜較（jiào）深層次的界麵弱化，產生基膜自身的弱界麵層，也會引起基材表麵（miàn）和蒸鍍層（céng）間的結（jié）合力下降。
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2.蒸鍍（dù）工藝條件對（duì）蒸鍍型氧化矽阻隔性包（bāo）裝薄膜性能的（de）影響

不論采用（yòng）物理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條（tiáo）件都（dōu）可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包裝薄膜的性能產生顯（xiǎn）著的影響，因此應當盡可能采用有（yǒu）利於（yú）提高蒸鍍薄膜阻隔性（xìng）的工藝條件。

（1)采用物理蒸鍍時，

真空度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍（dù）原料SiO2的形狀、真（zhēn）空室中氧氣（qì）導入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸（zhēng）鍍時間與蒸發功率）等（děng）均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利於SiO2的蒸發，製得的蒸（zhēng）鍍膜的質量越高。

②蒸鍍時（shí）塑料基膜的溫度高，有利於蒸（zhēng）發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗（tú）層並有利於提高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結度，因（yīn）此適當提高塑料基膜的溫度，有利於提高蒸鍍薄膜的質量。

③采用電子槍（qiāng）轟擊、蒸發SiO2時，宜（yí）使用塊狀的（de）SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子槍轟擊時（shí），易（yì）產生粉末濺射現象，影響蒸鍍膜的質（zhì）量，而粉狀SiO2則有利於電阻加熱蒸發（fā）。

④氧氣的導入速度影響蒸鍍層的組（zǔ）成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比（bǐ）值，氧的量越大，即x的值越大，蒸鍍層向透明性提（tí）高的方向移動（dòng），但阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時（shí），得到阻隔性能差的、無色透明的蒸鍍層（céng），通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性（xìng）及良好透明性的蒸鍍（dù）氧化矽薄膜。www.shzlyh.com南京91视频网站精工阻隔膜生產線

蒸鍍層的厚度增加，蒸鍍（dù）膜的阻隔性增加（jiā），但當蒸鍍層的厚度超（chāo）過50nm時，蒸鍍層的厚度再（zài）進一步增大，蒸鍍膜（mó）的阻隔性基本（běn）保持不變，因（yīn）此不能指望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加（jiā）蒸鍍層的（de）厚度的（de）辦法（fǎ），無（wú）限度地提高蒸鍍薄（báo）膜的（de）阻（zǔ）隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的（de）離子化能（néng）量（liàng）以及蒸鍍材料離子化所（suǒ）需（xū）要的能量相匹配，高頻電（diàn）磁波一般選用13.56MHz,微波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即（jí）可獲得優良的蒸鍍（dù）效果，而物理蒸鍍時（shí）則需要更（gèng）高的真（zhēn）空度（dù），即10-2~10-3Pa或（huò）者更高的真空度。

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