蒸鍍氧化矽型阻隔性包裝薄膜（mó）的製備方法有物理蒸鍍（PVC)和化學蒸鍍（CVC)兩大（dà）類。根（gēn）據具體實施方法的不同，又有如下（xià）種種（zhǒng）方法。阻隔膜生產設備

1.物理蒸鍍
物理蒸鍍亦稱物理氣相沉積法，包括電（diàn）阻絲蒸鍍、電（diàn）子束（shù）蒸鍍以及濺射等（děng）。其中電阻式蒸鍍和電子（zǐ）束蒸鍍需在高（gāo）溫下使SiO2汽化（huà），而濺射沉積應用單元素（sù）靶材濺（jiàn）射，具有沉積溫度低、沉積（jī）速率高、靶（bǎ）材不受限製、鍍膜質量好的
優點。

（1)電阻絲（sī）蒸鍍法

電阻絲蒸發鍍法是在真（zhēn）空室中，用電阻絲加熱SiO2,溫度可達1700℃,高溫及真空使SiO2以原子或分子的形（xíng）態從其表麵汽化（huà）逸出，形成蒸氣流，該蒸氣（qì）流在基材表麵沉積，形成含SiOx鍍（dù）層的阻隔性包（bāo）裝薄膜。

（2)電子束蒸發鍍膜法

電子束蒸發鍍膜法（fǎ）是將 SiO2放入水冷銅坩堝中，直接利用電子束加熱，使（shǐ）之蒸發汽（qì）化（huà），然後（hòu）凝結在基材的表麵上（shàng）形成含SiOx鍍層的阻隔性包裝薄膜（mó）。電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠比電（diàn）阻加（jiā）熱源更大的能量密（mì）度，蒸發溫度高（電子束加熱能量達20kW/c㎡,溫（wēn）度更可達3000~6000℃),因而特別適（shì）合製作高熔點薄膜（mó）類材料和高純薄膜材料，而且能有較高的蒸發速度。由於熱量可直接加到蒸鍍材料的表麵，因而熱效率高，熱（rè）傳導（dǎo）和熱輻射的損失少，所生產的SiOx阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔性（xìng），較之電阻絲蒸鍍法生產的產品，也有顯著提高。

（3)濺射法

濺射法亦稱磁控濺射法或高速低溫濺射法。用單元素靶材濺射並倒入反（fǎn）應氣體進行的反應稱為反（fǎn）應濺射，通（tōng）過調（diào）節（jiē）沉積工藝參（cān）數，可以製備化學配（pèi）比或非化學配比的化（huà）合物薄膜，從而達到通過調節薄膜（mó）鍍層的組成來調控薄膜特性的目的。磁控濺射法與（yǔ）蒸發法相比（bǐ），具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜層（céng）致密、均勻等優點。磁控濺射的（de）其他優（yōu）點有設備簡單、操作方（fāng）便等，在濺射鍍膜過程中，隻要（yào）保持工作氣壓和濺射功率恒（héng）定，基本上即可獲得（dé）穩定的沉積速率。最大缺（quē）點是沉積速率相對較低（dī），此外（wài）可能發生靶中（zhōng）毒、引起的（de）打火（huǒ）和濺射過程（chéng）不穩定以及（jí）膜的缺陷等，這些（xiē）限製了它的應（yīng）用，因此尚有待進（jìn）一步改進。

2.化學蒸鍍（PECVD)
化學蒸鍍亦稱等（děng）離（lí）子（zǐ）體增強化學氣（qì）相沉積或等離子體聚合氣相沉積，是利用等（děng）離子體手段產生（shēng）電子、離子及活性基團（tuán），在氣態或基體表麵進行化學反應。等離（lí）子體增強化學氣相沉積（jī）技（jì）術，利（lì）用射頻（RF)電源產生輝光放電（射頻電源放電方式可以設置為連續放電方（fāng）式或脈（mò）衝放電方式）或者微波（MW)放（fàng）電來離解反應氣體，形成（chéng）等離（lí）子體，等離子體與基膜表麵發生相互作用（yòng）並沉（chén）積成膜。穀吉海等曾在包裝工程中，對PECVD蒸鍍技術（shù）的原理、特點和應用及陶瓷膜蒸鍍技術的發展趨勢進（jìn）行了展望。

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