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發布日期:2024-9-20 發布者:91视频网站精工
影響(xiǎng)蒸鍍型氧化矽阻(zǔ)隔性包裝薄(báo)膜性能的因素

一、影響蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性(xìng)能的因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層(céng)的組成、蒸鍍層的厚度等,都可能對蒸鍍型氧化矽阻(zǔ)隔性包裝薄膜的性(xìng)能產生(shēng)巨大的影(yǐng)響。


1.基材的選擇性
如前所(suǒ)述,蒸鍍型氧化矽阻(zǔ)隔性包裝薄膜的阻隔性依靠(kào)於SiOx塗層,因此在蒸煮處理過程中,不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜通常與其他薄膜複合,製(zhì)造蒸煮薄膜,選擇蒸煮基材應當注意如下幾個問題。


(1)塑料薄膜的類型(xíng)

蒸鍍的氧化矽膜(mó)與塑料薄(báo)膜之間的黏合牢度與塑料基膜(mó)種類之間有較大的關係,PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽間的(de)黏合性(xìng)較佳,而非極性的薄膜,與氧化矽間的(de)黏(nián)合力(lì)則比較(jiào)差。


(2)塑料薄膜表麵狀態


蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性(xìng),除(chú)了(le)受蒸鍍層的厚度影響之外,更大程度上決定於氧化矽鍍層的均勻性。裂縫、針孔等缺欠,會導致(zhì)蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜(mó)的阻隔性明顯下(xià)降,缺陷的形成除了蒸鍍層本身的化學成分與結構之外,所用基膜的表麵平滑性(xìng),也是一個重要因素,粗糙度越大(dà),越容易(yì)造(zào)成蒸(zhēng)鍍(dù)缺陷,但適量的粗糙度會使蒸鍍層(céng)和基膜的表麵之間形成物理(lǐ)錨接,改善層間黏合力。


(3)塑料薄(báo)膜的表麵預處(chù)理狀況


為了得(dé)到優質的蒸鍍薄膜,對基膜進行適度的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈處理,可在其表麵形成氧化層(通過交聯、臭氧化(huà)、羧基化(huà)、硝基化等多種複雜的化(huà)學(xué)反應,將氧、氮等原子及原子(zǐ)團引入到塑料薄膜的表麵(miàn)上),增大基膜(mó)與蒸鍍塗層之間的結合力。在預處理設備(bèi)一定的情況(kuàng)下,如果預處理時間不足,表麵改性(xìng)不充分,將導致基膜與塗層之間的結合牢度下(xià)降;預處理時間過長,可能引起基膜較深層次的界麵弱化,產生基膜自身的弱界麵(miàn)層,也會引起基材表麵和蒸鍍(dù)層間的結合力下降。


2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍(dù)型氧化矽阻隔性包裝薄膜性(xìng)能的影響

不論采用(yòng)物理蒸鍍或者化學蒸鍍,蒸鍍(dù)工藝條件都可能對蒸鍍型氧化矽阻(zǔ)隔性包裝薄膜的性(xìng)能(néng)產(chǎn)生顯著的(de)影響,因此應當盡可能采用有利於提高蒸鍍薄膜(mó)阻隔(gé)性的工藝條(tiáo)件。


(1)采用物理蒸鍍時,

真空度的(de)高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸鍍(dù)原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導入的速度、蒸鍍塗層(céng)的厚度(dù)(決(jué)定於蒸(zhēng)鍍時間(jiān)與蒸發功率)等(děng)均會影響最終產品的性(xìng)能。


①蒸鍍時真空度(dù)越高,越有利於SiO2的蒸發,製得的蒸鍍膜的質量(liàng)越高。


②蒸鍍(dù)時塑料基膜的溫度高,有利(lì)於蒸發的(de)SiO,在塑料基膜上(shàng)沉積、形成致密的塗層並有利於提高蒸鍍層(céng)與塑料基膜間的(de)黏結度,因此適當提高塑料基(jī)膜的溫(wēn)度,有利(lì)於提(tí)高蒸鍍薄(báo)膜的質量。


③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時,宜使用塊狀的(de)SiO2,因為粉狀的SiO2在受電子槍轟擊時,易產生粉末濺射現象,影響蒸鍍膜的質量,而粉狀SiO2則有(yǒu)利於電阻加熱蒸發。


④氧氣的導入速度影響蒸鍍層的組成,即SiOx中Si原子數與(yǔ)0原子(zǐ)數的比值,氧的量越大,即x的值越大,蒸鍍層向透明性提高(gāo)的方向移動,但阻隔性有降低的趨(qū)勢(shì)。當(dāng)x等於2時,得到(dào)阻隔性能差的、無色透明的蒸鍍層,通常x控製在1.5~1.8之間以獲得兼具高阻隔性及良好透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。


蒸鍍層的厚度增加,蒸鍍膜(mó)的阻隔性增加(jiā),但當蒸鍍層的厚度超過50nm時,蒸鍍層的厚度再(zài)進一步增大,蒸鍍(dù)膜的阻隔性基本保持不變,因此不(bú)能指(zhǐ)望(wàng)依靠降低生產線的線(xiàn)速度(增加蒸鍍時(shí)間)、增加蒸鍍層的厚度的辦法,無(wú)限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。


(2)化(huà)學蒸(zhēng)鍍中,高頻電磁波或微(wēi)波頻率的選擇,應與離子化氣氛中的離子化能量以及(jí)蒸鍍材料離子化所需要的能量相匹配,高頻電磁波一般選用(yòng)13.56MHz,微(wēi)波一般選用2.45MHz,真(zhēn)空度在(zài)10-2Pa左右(yòu)即可獲得優良的(de)蒸鍍效果,而物理蒸鍍時則需要更(gèng)高的真空度,即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。


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